个问题，罗离也知道不会有答案。
根本不可能。
当资本企业联盟决定实行芯片垄断的那一刻起，就已经堵死了所有生路，除非你能自己搞出来。
罗离第一反应就是查阅系统。
打开兑换列表，在一长串密密麻麻的兑换商品种，罗离找到了芯片制造相关的科技。
排除“虚空系列”、“反物质”、“负相粒子光能”这种一听就买不起的东西，罗离直接将列表拉到最下来。
然后，他就看到了自己收藏夹中躺了两个多月的3nmEUV光刻机——
以及后面长达10厘米的“0”……
罗离：“……”
3nmEUV光刻机，太特么贵了！
贵到价格只能用“厘米”来形容。
就尼玛离谱！
罗离果断放弃了，这东西绝对不是现阶段可以买得起的！
然后他将目光锁定到5nm级别……这次是8厘米。
淦，放弃放弃！
然后是7nm……
14nm……
……
全部看完，罗离彻底无奈了。
以他目前的系统积分，居然只能买得起130nm级别的光刻机！还特么是DUV光源！！
DUV光刻机和EUV光刻机能比？
寒碜谁呢？
DUV光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248nm的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm，但却是以牺牲良品率为代价！
几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠DUV光刻机想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！
先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28nm也远远解决不了钉子现在的危机。
更别提暴增的材料成本了。
光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。
在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？
在目前，DUV光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，这时候就需要依靠EUV光刻机。
EUV光刻机采用的是一种的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。
用EUV光刻机制造7nm级芯片，只需要曝光一次。
在现阶段，
国产芯片仅能满足日常生产生活的基础要求，高端光刻机无法进入国内，高级芯片生产的困难还是很严峻。
钉子如果想真正解决芯片的问题，第一件需要解决的就是光刻机精度。
“既然不能制造光刻机，那能不能对现有的光刻机制程进行改进？”
罗离忽然有了一个大胆的想法。
众所周知，光刻机的曝光分辨率与波长直接相